20155222卢梓杰 课堂测试ch06补做
1.下面代码中，对数组x填充后，采用直接映射高速缓存，所有对x和y引用的命中率为（）
A . 1 B . 1/4 C . 1/2 D . 3/4 正确答案： D 解析：在x结尾加了填充，x[i]和y[i]映射到了不同分组，消除了抖动冲突不命中，因此3/4的引用是命中的。2.有关高速缓存的说法正确的是（）
A . 高速缓存的容量可以用C=SEB 来计算 B . 高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（ 32 ，8，8，32） C . 直接映射高速缓存要：组选择、行匹配、字抽取 D . 当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中 正确答案： A C D3.The following table gives the parameters for a number of different caches. For each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
A . 第三行S为1 B . 第一行t为24 C . 第二行b为5 D . 第三行s的值为0 正确答案： A C D 解析：这是对各种高速缓存参数定义的直接引用。4.有关缓存的说法，正确的是（）
A . LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块 B . 不同层之间以字节为传送单元来回复制 C . 缓存不命时，决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制 D . 空缓存的不命中叫冲突不命中 正确答案： A C 解析：不同层之间以块为传送单元来回复制，空缓存的不命中叫强制性不命中或冷不命中，使用限制性的放置策略引起的不命中称为冲突不命中。5.下面说法正确的是（）
A . 存储层次结构中最小的缓存是寄存器 B . 存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象 C . L4主存可以看作是L5：本地磁盘的缓存 D . L4主存可以看作是L6的缓存 正确答案： A B C 解析：存储器只能视相邻的上一级的存储器作为缓存。6.下面代码的步长是（）
A . 1 B . N C . NN D . NN*N 正确答案： C 解析：将循环顺序改为k-i-j即可将步长改为1。7.下面代码中（）局部性最差
1 #define N 1000 2 3 typedef struct { 4 int vel[3]; 5 int acc[3]; 6 } point; 7 8 point p[N]; A . 1 void clear1(point p, int n) 2 { 3 int i, j; 4 5 for (i = 0; i < n; i++) { 6 for (j = 0; j < 3; j++) 7 p[i].vel[j] = 0; 8 for (j = 0; j < 3; j++) 9 p[i].acc[j] = 0; 10 } 11 } B . 1 void clear2(point p, int n) 2 { 3 int i, j; 4 5 for (i = 0; i < n; i++) { 6 for (j = 0; j < 3; j++) { 7 p[i].vel[j] = 0; 8 p[i].acc[j] = 0; 9 } 10 } 11 } C . 1 void clear3(point *p, int n) 2 { 3 int i, j; 4 5 for (j = 0; j < 3; j++) { 6 for (i = 0; i < n; i++) 7 p[i].vel[j] = 0; 8 for (i = 0; i < n; i++) 9 p[i].acc[j] = 0; 10 } 11 } D . 不确定 正确答案： C 解析：C中的代码按照列的顺序扫描两个数组。8.程序中（）语句具有良好的局部性
A . 顺序 B . 分支 C . 循环 D . 以上都是 正确答案： C 解析：顺序引用模式步长为1。9.下面代码，（）具有差的空间局部性。
A . 1 int sumvec(int v[N]) 2 { 3 int i, sum = 0; 4 5 for (i = 0; i < N; i++) 6 sum += v[i]; 7 return sum; 8 } B . 1 int sumarrayrows(int a[M][N]) 2 { 3 int i, j, sum = 0; 4 5 for (i = 0; i < M; i++) 6 for (j = 0; j < N; j++) 7 sum += a[i][j]; 8 return sum; 9 } C . 1 int sumarraycols(int a[M][N]) 2 { 3 int i, j, sum = 0; 4 5 for (j = 0; j < N; j++) 6 for (i = 0; i < M; i++) 7 sum += a[i][j]; 8 return sum; 9 } D . 以上都不对 正确答案： C 解析：C中代码按照列顺序扫描数组，步长为N。10.有关局部性原理，说法正确的是（）
A . 程序访问一个向量，步长越小或短，空间局部性越好 B . 局部性有两种形式：空间局部性，时间局部性 C . 程序访问一个向量，步长越大空间局部性越好。 D . 硬件、OS，应用程序都会用到局部性原理 正确答案： A B D 解析：一个编写良好的计算机程序常常具有良好的局部性。也就是，他们倾向于引用邻近于其他最近引用过的数据项的数据项，或者最近饮用过的数据项本身。这种倾向性，被称为局部性原理，是一个持久的概念，对硬件和软件系统系统的设计和性能都具有极大影响。11.下面说法正确的是（）
A . CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令 B . DMA传送不需要CPU的干涉 C . SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术 D . 逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个（盘面，磁道，扇区 ）三元组。 正确答案： A B C D12.下面（）是I/O总线
A . USB B . PCI C . 网卡 D . 图形卡 正确答案： B 解析：例如图形卡，监视器，鼠标，键盘和磁盘这样的I/O设备，都是通过总线，例如Intel的外围互联设备PCI总线连接到CPU和主存的。13.图中磁盘一个扇区的访问时间约为（）ms
A . 10 B . 5 C . 6 D . 8 E . 12 正确答案： A14.有关磁盘操作，说法正确的是（）
A . 对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。 B . 磁盘以字节为单位读写数据 C . 磁盘以扇区为单位读写数据 D . 读写头总处于同一柱面 正确答案： A C D 解析：一次寻道最大时间为9ms，旋转时间约为4ms,传送时间约为0.02ms。15.计算下面磁盘的容量（）：4个盘片，100000个柱面，每条磁道400个扇区，每个扇区512个字节
A . 81.92GB B . 40.96GB C . 163.84 D . 327.68GB 正确答案： C 解析：5124004210 0000/1 000 000 000=163.8416.有关磁盘，说法正确的是（）
A . 磁盘的读取时间为毫秒级 B . 每张磁盘有一个表面 C . 表面由磁道组成 D . 每个扇区的面积不同，包含的数据位的数量也不一样 正确答案： A C 解析：每张盘片有两个表面，每个扇区包含相等量的数据位。17.根据携带信号不同，总线可分为（）
A . 系统总线 B . 数据总线 C . 内存总线 D . 地址总线 E . 控制总线 正确答案： B D E 解析：总线是一组并行的导线，能携带地址、数据和控制信号。18.关于非易失性存储器，下面说法正确的是（）
A . DRAM是非易失性存储器 B . SRAM是非易失性存储器 C . PROM只能编程一次 D . EEPROM可以用紫外线进行擦除 E . 存在ROM中的程序通常被称为固件 正确答案： C E 解析：如果断电，DRAM和SRAM会丢失他们的信息，所以他们是易失的。EPROM可以用紫外线进行擦除，EEPROM不需要一个物理上独立的编程设备，因此可以直接在印刷电路卡上编程。19.通过使用两个时钟沿作为控制信号，对DRAM进行增强的是（）
A . FPM DAM B . SDRAM C . DDR SDRAM D . VRAM E . EDO DRAM 正确答案： C 解析：DDRAM是对SDRAM的一种增强，他通过使用两个时钟沿作为控制信号，从而使DRAM的速度翻倍。20.有关RAM的说法，正确的是（）
A . SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。 B . DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中 C . 一般来说，SRAM比DRAM快 D . SRAM常用来作高速缓存 E . DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电 F . SRAM需要不断刷新 G . DRAM被组织为二维数组而不是线性数组 正确答案： A C D E G 解析：SRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中,DRAM需要不断刷新.21.有关计算机存储系统，下面说法正确的是（）
A . 程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较低层次处访问数据，这样节省时间 B . 存储层次涉用不同容量，成本，访问时间的存储设备 C . 存储层次设计基于局部性原理 D . “存储山”是时间局部性和空间局部性的函数 正确答案： B C D 解析：程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较高层次处访问数据。